光谱辐射仪 BTS2048-紫外线 高光学分辨率
使用这款高质量的紧凑型光谱辐射仪在紫外光下进行测量
高杂散光减少(BTS2048-UV-S 的缩小滤光片版本)
超快速接口和电子快门
高光学分辨率
适用于各种测量任务(UV LED、氘灯、钨灯到太阳辐射)
高杂散光减少有助于将精确校准转换为精确测量
光谱辐射仪 BTS2048-紫外线 高光学分辨率
紫外 CCD 光谱辐射仪与宽带 CCD 光谱仪
传统 CCD 探测器的光谱响应度通常在 200 nm 至 430 nm 范围内。通常,CCD 探测器的这个宽光谱响应范围被称为光谱辐射计的响应范围。然而,这没有考虑色散光栅的光谱响应函数,这进一步降低了检测器在紫外光谱中的响应度。这会导致 UV 测量信号出现重大误差,主要是通过长波杂散光。宽带光谱仪的光谱分辨率通常不足以保证精确测量窄带 UV LED。
专为紫外辐射设计的 CCD 光谱仪具有有限的光谱范围,并允许非常高的光栅效率和非常高的光谱分辨率。此外,滤光片还可用于显著减少杂散光。
用于紫外线辐射的 BTS2048-UV CCD 分光辐射仪
BTS2048-UV 满足高-端紫外二极管阵列光谱仪的所有要求,尽管采用尖-端技术,但价格极-具吸引力。
BiTec 传感器的一个独-特之处在于它结合了背照式 CCD 光谱仪和硅光电二极管,可提供高线性度,从而实现极快的测量 (参见有关 BiTec 传感器的技术文章 )。 采用热电冷却的完-全线性化 2048 像素 CCD 探测器的积分时间范围为 2 μs 至 60 s,因此具有非常宽的动态范围。这使得能够在较宽的强度范围内精确测量 UV LED。该设计在整个光谱测量范围内提供了 0.8 纳米的高光学分辨率,从 190 纳米到 430 纳米。光谱仪还配备了两个用于自动低杂散光测量的滤光片(参见我们关于分光辐射仪杂散光减少的技术文章)。 对于存在其他光源的宽带 UV 灯和 UV LED 来说,这种测量是必要的。BiTec 探测器内的极-高线性度 SiC 光电二极管用于 CCD 的线性化或用作参考探测器。SiC 光电二极管的辐射响应功能使其能够独立于 CCD 使用。辐射精度可以使用相应的光谱数据进行自动校正。因此,该设备可用于对非常微弱的信号进行快速测量,这使得 BTS20418-UV 非常适合集成到测角仪中。尽管尺寸紧凑(103 mm x 107 mm x 52 mm – 长 x 宽 x 高),但 BTS2048-UV 光谱辐射仪具有一个带两个滤光片的遥控滤光轮和一个用于暗测量的快门。
精确光谱辐射测量(低杂散光)
为了便于优良地使用 CCD 传感器的动态范围并克服大多数阵列光谱辐射计在 UV 范围内的问题,在光束路径中放置了一个遥控滤光片轮(开放式、闭合式、滤光片)。该滤光片与智能测量和杂散光校正程序相结合,可实现 BTS2048-UV 的高质量测量。
BTS2048-UV 针对其他 UV 源的一般测量进行了优化。Gigahertz-Optik 的杂散光校准技术与进一步的智能测量程序相结合,可实现卓-越的杂散光抑制。 另请参阅我们关于光谱辐射仪杂散光减少的技术文章 。可根据要求选择校准 BTS2048-UV 附加杂散光校正矩阵。
绝对校准,绝对辐照度低至 200 nm!
多年的经验和设备齐全的 DAkkS 校准实验室 (D-K-15047-01-00) 使 Gigahertz-Optik 能够提供低至 200 nm 的可追溯校准。这拓宽了 BTS2048-UV 和 UV-C-LED 的应用范围。对于短波光谱范围,Gigahertz-Optik GmbH 实施了一种特殊的基于氘灯的校准策略。
用于前端和后端 LED 测试测量
BTS2048-UV 非常适合在工业应用中测试 UV 前端和后端 LED。其 CCD 检测器在触发测量之前集成了所有像素的电子零点设置功能(电子快门)。当测试 LED 在脉冲电流模式下运行时,电子快门和测量触发可以通过触发端口与电源同步。强大的微处理器只需 7 ms 即可通过快速 LAN 接口将完整的数据集传输到系统计算机。
直接安装,无需使用导光板
BTS2048-UV 光谱辐射仪具有扩散窗口,因此可用于测量紫外线辐照度,包括光谱和峰值波长,无需任何额外的附件组件。借助扩散窗口,BTS2048-UV 还可以直接安装在积分球、辐射镜和测角仪等附件上,以测量辐射功率、辐射率和辐射分布。
用户软件和开发人员软件
标准的 S-BTS2048 用户软件具有可定制的用户界面,并提供大量的显示和功能模块,这些模块可以在使用 Gigahertz-Optik GmbH 的相应附件组件配置 BTS2048-UV 时激活。S-SDK-BTS2048 开发人员软件用于将 BTS2048-UV 集成到客户自己的软件中。
校准
光度测量设备的一个基本质量特征是其精确和可追溯的校准。BTS2048-UV 由 Gigahertz-Optik 的 ISO/IEC 17025 校准实验室进行校准,该实验室的光谱响应度和光谱辐照度已通过 DAkkS (D-K-15047-01-00) 的认可,符合 ISO/IEC 17025 标准。校准还包括相应的附件组件。每台设备都附有相应的校准证书。
常规
简短描述
紫外优化型 TE 冷却 CCD 光谱仪,具有宽动态范围,适用于连续波和辐照度、光谱和峰值波长的短期测量。其他参数的附件。
主要特点
紧凑型设备。BiTec 探测器,带有背照式 TE 冷却 CCD(2048 像素,0.8 nm 光学分辨率,电子快门)和 SiC 光电二极管。光学带宽校正 (CIE214)。带快门和边缘滤光片的滤光片轮。带扩散器窗口的输入镜头。余弦视场。
测量范围
3E-5 W/(m²nm) 至 3E4 W/(m²nm) @325nm。响应度从 190 nm 到 430 nm。
典型应用
用于设计应用的 CCD 光谱仪。用于集成到前端和后端 LED 测试测试系统中的模块。
校准
工厂校准。可追溯至国际校准标准
产品
典型应用
用于光谱辐照度、红斑等的测光表
测量数量
光谱辐照度 (W/(m² nm))、辐照度 (W/m²)、峰值波长、中心波长、质心波长、红斑。选项积分球:此外还有光谱辐射功率 (W/nm) 和辐射功率 (W)
输入光学元件
扩散器,余弦校正视野 (f2 ≤ 3 %)
滤光片转盘
4 个位置(开放、关闭、滤光片)。用于远程暗电流测量和杂散光减少。
比特克
可以使用二极管和阵列进行并行测量,从而允许对光电二极管进行辐射缩放以匹配光谱数据。
校准不确定度
光谱辐照度
λu(k=2)
(200 - 239) 纳米± 9 %
(240 - 339) 纳米± 6.8 %
(340 - 359) 纳米± 5 %
(360 - 399) 纳米± 4.3 %
(400 - 430) 纳米± 4 %
光谱辐照度响应度 (200 - 430) nm
测量模式
标准测量模式:200 nm 至 430 nm
超出范围的杂散光校正测量模式 (OoR SLC):200 nm 至 430 nm
杂散光校正带通测量模式 (BP SLC):300 nm 至 386 nm
光谱检测器
积分时间
2 μs - 60 s *1
光谱范围
(190 - 430) 纳米
光带宽
0.8 纳米
像素分辨率
~0.13 nm/像素
像素数
2048
芯片
高灵敏度背薄型 CCD 芯片,单级冷却 (1TEC)
模数转换器
16 位(25 ns 指令周期时间)
峰值波长
± 0.05 纳米
带通校正
支持数学在线带通校正
线性
完-全线性化芯片 >99.6%
杂散光
越界方法 < 1E-4 *3
基线噪声
5 克拉 *4
信 噪 比
5000 *5
动态范围
>9 星等
光谱响应度
(3E-5 - 3E4)W/(m²nm) @325nm *6*7
典型测量时间
W/m² 卤素灯,波长范围 (250 - 400) nm
14,4 秒
10440 毫秒
10044 毫秒
集成检测器
测量时间
(0.1 - 6000) 毫秒
测量范围
七 (7) 个测量范围,具有卓-越的偏移校正
模数转换器
16 位
测量范围
可选:(5E-3 - 2E5) W/m² *11
滤波器
对光谱数据中的矩形函数的响应度进行数学调整。
图
光谱响应度
杂项
微处理器
32 位设备控制,16 位 CCD 阵列控制,8 位光电二极管控制
接口
USB V2.0、以太网(LAN UDP 协议)、RS232、RS485
数据传输
标准,通过以太网 7 毫秒,通过 USB 2.0 140 毫秒,2048 个浮点数组值
输入接口
2 个 (0 - 25) VDC,1 个光耦合器隔离 5 V / 5 mA
输出接口
2 个集电极开路,最大 25 V,最大 500 mA
触发
包含触发输入(不同选项、上升沿/下降沿、延迟等)
软件
用户软件 S-BTS2048
可选的软件开发套件 S-SDK-BTS2048,用于基于 C、C++、C# 或 LabView .dll 的用户软件设置。
电源
带电源:直流输入 5V (±10 %),700 mA
带 USB 总线 (500mA) *8
尺寸
103 毫米 x 107 毫米 x 52 毫米(长 x 宽 x 高)
重量
500 克
安装
三脚架和 M6 螺纹
前适配器 UMPA-1.0-HL,用于积分球端口框架 UMPF-1.0-HL
温度范围
储存:(-10 至 50)°C
作:(10 至 30)°C *9
信息
*1 建议对积分时间的每次变化执行新的暗信号测量
*2 典型值,主波长的不确定性取决于 LED 的光谱分布
*3 典型值,在冷白光宽带 LED 峰值左侧 100 nm 处测得,具有深蓝色 LED 峰值
*4 *5 典型值,在 4ms 测量时间内未平均测量,并对阵列进行满量程控制。平均导致 S/N 的二次上升
即基噪声的二次下降,例如,平均到系数 100 会使 S/N 提高 10 倍
*6 最小 500/1 S/N. 满量程控制时最大。
*7 为避免热损伤,仅允许短时间照射
*8 在 USB 连接期间,由于电流供应有限,例如没有以太网和 TEC 冷却,并非所有功能都可用
*9 在大约 25 分钟内实现温度稳定所需的设备。在预热阶段进行测量,或者如果进行测量
在不同温度下,每次测量都需要进行暗信号测量
*10 使用氘灯的 a(Z) 校正
*11 通过氘灯的光谱功率分布,最大辐射只允许很短的时间,以避免热损伤
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